一、太阳光谱
太阳光谱如下图所示,
紫外线波长:100nm~400nm;
可见光波长:400nm~700nm;
红外线波长:700nm~1000nm;

二、红外光LED红爆
红外光850nm会有轻微红爆(肉眼可见)。
红外光940nm是完全没有红爆(隐藏式摄像头采用)。
所谓红爆,是指在红外灯工作时,红外灯会出现目视可见的红点。
所以,如果在需要隐蔽的情况下,使用940nm是不错的选择。
三、红外光LED辐射强度
850nm的辐射强度比940nm的辐射强度值要高2-3倍左右,辐射强度值高的话表现出来的亮度会高一些。
例如,2颗850nm红外补光灯设计,相比同等功率940nm红外补光灯,夜视效果更强,夜间画面清晰可见。
如下图左边是850nm红外灯夜视效果,右边是940nm红外灯夜视效果。

另,在相同电流条件下,由于940nm的压降低,故其功耗会比850nm小一些,所以同样大小的芯片940nm承受的电流会比850nm的电流可以大一点。
三、波长与辐射强度
在温度越高时,红外灯LED的波长会变长,对应的辐射通量也就越低。
如下图所示,在环境温度25°C时,假设辐射通量是100%。而环境温度达到80°C时,辐射通量只有80%左右,辐射通量下降了20%。
通常,安防摄像头红外补光灯的温度测试标准控制在80°C左右,避免温度太高,导致辐射通量降低太多。

四、波长与压降
一般来讲波长值越高,其正向压降VF值在同样电流的情况下会越低。
在20mA电流的条件下,850nm的VF值约为1.35-1.55V;而940的VF值约为1.10-1.25V之间,当然电流不同,其VF值也会不同。
note:波长越长,光子能量越低。
制造这种光子所需的半导体材料“禁带宽度”就越窄,驱动电子越过这个“能量台阶”所需的最低电压(即正向压降)也就越低。
波长与光子能量的关系(反比):
E=hc/λ
E:单个光子的能量;
h:普朗克常数;
c:光速;
λ:光的波长。
例如:
安排摄像头上的红外补光灯的压降大概在1.5V左右,而白光补光灯的压降在3.0V左右。因为,红外光的波长比可见光的波形大,其需要的光子能量就小,压降也就低。
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